IXFK100N65X2 - IXYS

Numero di parte	IXFK100N65X2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11300pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-264
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXFK100N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA	Dettagli
IXFK100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA	Dettagli
IXFK100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 100A TO-264	Dettagli
IXFK102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A TO-264	Dettagli
IXFK110N07	IXYS	MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA	Dettagli
IXFK120N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA	Dettagli
IXFK120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264	Dettagli
IXFK120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Dettagli
IXFK120N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Dettagli
IXFK120N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 120A TO-264	Dettagli