IXFH13N80Q

IXFH13N80Q - IXYS

Numero di parte
IXFH13N80Q
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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IXFH13N80Q Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFH13N80Q
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3250pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 6.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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