GWM160-0055X1-SMD - IXYS

Numero di parte	GWM160-0055X1-SMD
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	17-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOPLUS-DIL™
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GWM160-0055	IXYS	GWM160-0055 IXYS SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
GWM160-0055P3	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL	Dettagli
GWM160-0055X1-SL	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS	Dettagli
GWM160-0055X1-SLSAM	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS	Dettagli
GWM160-0055X1-SMD	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS	Dettagli
GWM160-0055X1-SMDSAM	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS	Dettagli