• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › GWM100-01X1-SLSAM
GWM100-01X1-SLSAM

GWM100-01X1-SLSAM - IXYS

Numero di parte
GWM100-01X1-SLSAM
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
GWM100-01X1-SLSAM Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1055 pcs
Prezzo di riferimento
USD 25.23/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per GWM100-01X1-SLSAM

GWM100-01X1-SLSAM Descrizione dettagliata

Numero di parte GWM100-01X1-SLSAM
Stato parte Active
Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 17-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS-DIL™
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER GWM100-01X1-SLSAM

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
GWM100-0085X1-SMD GWM100-0085X1-SMD IXYS MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS Dettagli
GWM100-0085X1-SMD SAM GWM100-0085X1-SMD SAM IXYS MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS Dettagli
GWM100-01X1-SL GWM100-01X1-SL IXYS MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS Dettagli
GWM100-01X1-SLSAM GWM100-01X1-SLSAM IXYS MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS Dettagli
GWM100-01X1-SMD GWM100-01X1-SMD IXYS MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS Dettagli
GWM100-01X1-SMDSAM GWM100-01X1-SMDSAM IXYS MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS Dettagli