IS49NLS18160-33WBLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Numero di parte: IS49NLS18160-33WBLI
fabbricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Breve descrizione: IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Memoria
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Codice data: New
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Numero di parte	IS49NLS18160-33WBLI
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	DRAM
Dimensione della memoria	288Mb (16M x 18)
Frequenza di clock	300MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	20ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	144-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	144-TWBGA (11x18.5)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IS49NLS18160-25B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Dettagli
IS49NLS18160-25BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Dettagli
IS49NLS18160-25BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Dettagli
IS49NLS18160-25BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Dettagli
IS49NLS18160-25WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ	Dettagli
IS49NLS18160-33B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Dettagli
IS49NLS18160-33BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Dettagli
IS49NLS18160-33BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Dettagli
IS49NLS18160-33BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Dettagli
IS49NLS18160-33WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ	Dettagli