SPW15N60C3FKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	SPW15N60C3FKSA1
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 675µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1660pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	156W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SPW1550COTR	SUNTAK	SPW1550COTR SUNTAK MSOP8 New Original Stocks	Dettagli
SPW15N60C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 15A TO-247	Dettagli
SPW15N60C3FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 15A TO-247	Dettagli
SPW15N60CFDFKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247	Dettagli