SPW11N60CFDFKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	SPW11N60CFDFKSA1
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	440 mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SPW11N60C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11A TO-247	Dettagli
SPW11N60C3FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11A TO-247	Dettagli
SPW11N60CFD	INFINEON	SPW11N60CFD INFINEON TO3P New Original Stocks	Dettagli
SPW11N60CFDFKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11A TO-247	Dettagli
SPW11N60S5FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 11A TO-247	Dettagli
SPW11N80C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 11A TO-247	Dettagli
SPW11N80C3FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 11A TO-247	Dettagli