| Numero di parte | SPI80N03S2L-03 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
SPI80N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | Dettagli |
|
SPI80N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | Dettagli |
|
SPI80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | Dettagli |
|
SPI80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | Dettagli |
|
SPI80N03S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | Dettagli |
|
SPI80N04S2-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK | Dettagli |
|
SPI80N06S-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | Dettagli |
|
SPI80N06S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | Dettagli |
|
SPI80N06S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | Dettagli |
|
SPI80N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | Dettagli |
