Numero di parte | SPD18P06P |
---|---|
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Peso | - |
Paese d'origine | - |