SPD100N03S2L-04

SPD100N03S2L-04 - Infineon Technologies

Numero di parte
SPD100N03S2L-04
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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SPD100N03S2L-04 Descrizione dettagliata

Numero di parte SPD100N03S2L-04
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3320pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-5
Pacchetto / caso TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Peso -
Paese d'origine -

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