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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SPB80N03S2L-04 G
SPB80N03S2L-04 G

SPB80N03S2L-04 G - Infineon Technologies

Numero di parte
SPB80N03S2L-04 G
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
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SPB80N03S2L-04 G.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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SPB80N03S2L-04 G Descrizione dettagliata

Numero di parte SPB80N03S2L-04 G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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