SPB07N60C3ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	SPB07N60C3ATMA1
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SPB07N60C2	infineon	SPB07N60C2 infineon P-TO26.. New Original Stocks	Dettagli
SPB07N60C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK	Dettagli
SPB07N60C3ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK	Dettagli
SPB07N60S5	infineon	SPB07N60S5 infineon P-TO26.. New Original Stocks	Dettagli
SPB07N60S5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263	Dettagli
SPB07N65C3	infineon	SPB07N65C3 infineon P-TO26.. New Original Stocks	Dettagli