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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SN7002N L6327
SN7002N L6327

SN7002N L6327 - Infineon Technologies

Numero di parte
SN7002N L6327
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SN7002N L6327 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
SN7002N L6327.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3608 pcs
Prezzo di riferimento
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SN7002N L6327 Descrizione dettagliata

Numero di parte SN7002N L6327
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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