| Numero di parte | IRLHS6242TR2PBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 12A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PQFN (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-PowerVDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRLHS2242TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN | Dettagli |
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IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN | Dettagli |
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