IRL60B216

IRL60B216 - Infineon Technologies

Numero di parte
IRL60B216
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 195A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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3240 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.98/pcs
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IRL60B216 Descrizione dettagliata

Numero di parte IRL60B216
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15570pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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