IRL2203NLPBF - Infineon Technologies

Numero di parte	IRL2203NLPBF
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	116A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3290pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-262
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRL2203N	I	IRL2203N I TO-220.. New Original Stocks	Dettagli
IRL2203NL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 116A TO-262	Dettagli
IRL2203NLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 116A TO-262	Dettagli
IRL2203NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB	Dettagli
IRL2203NPBF-P	IR	IRL2203NPBF-P IR TO-220 New Original Stocks	Dettagli
IRL2203NS	I	IRL2203NS I D?PAK New Original Stocks	Dettagli
IRL2203NSPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK	Dettagli
IRL2203NSTRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK	Dettagli
IRL2203NSTRR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK	Dettagli
IRL2203NSTRRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK	Dettagli