| Numero di parte | IRG8CH184K10F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 200A |
| Potenza - Max | - |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 1110nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 135ns/640ns |
| Condizione di test | 600V, 200A, 2 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRG8CH106K10F | Infineon Technologies | IGBT 1200V 110A DIE | Dettagli |
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IRG8CH10K10F | Infineon Technologies | IGBT 1200V 5A DIE | Dettagli |
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IRG8CH137K10F | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | Dettagli |
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IRG8CH15K10D | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | Dettagli |
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IRG8CH15K10F | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | Dettagli |
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IRG8CH184K10F | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | Dettagli |
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IRG8CH20K10D | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | Dettagli |
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IRG8CH20K10F | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | Dettagli |
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IRG8CH29K10D | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | Dettagli |
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