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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › IRG7CH37K10EF
IRG7CH37K10EF

IRG7CH37K10EF - Infineon Technologies

Numero di parte
IRG7CH37K10EF
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT CHIP WAFER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IRG7CH37K10EF Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IRG7CH37K10EF.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 1.9225/pcs
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IRG7CH37K10EF Descrizione dettagliata

Numero di parte IRG7CH37K10EF
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 15A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 15A
Potenza - Max -
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 80nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 28ns/122ns
Condizione di test 600V, 15A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Peso -
Paese d'origine -

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