| Numero di parte | IRFSL23N15DPBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 14A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IRFSL11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 | Dettagli |
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IRFSL11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 | Dettagli |
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IRFSL17N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 | Dettagli |
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IRFSL17N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 | Dettagli |
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IRFSL23N15D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 | Dettagli |
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IRFSL23N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 | Dettagli |
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IRFSL23N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 | Dettagli |
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IRFSL23N20D102P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 | Dettagli |
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IRFSL3004PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | Dettagli |
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IRFSL3006PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A TO262 | Dettagli |
