IRFS3107PBF

IRFS3107PBF - Infineon Technologies

Numero di parte
IRFS3107PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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IRFS3107PBF Descrizione dettagliata

Numero di parte IRFS3107PBF
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9370pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 140A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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