IRFH4251DTRPBF

IRFH4251DTRPBF - Infineon Technologies

Numero di parte
IRFH4251DTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 1.4755/pcs
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IRFH4251DTRPBF Descrizione dettagliata

Numero di parte IRFH4251DTRPBF
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 64A, 188A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V
Potenza - Max 31W, 63W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PQFN (5x6)
Peso -
Paese d'origine -

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