| Numero di parte | IRF8313PBF |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IRF8010L | IR | IRF8010L IR TO-262 New Original Stocks | Dettagli |
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IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | Dettagli |
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IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | Dettagli |
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IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | Dettagli |
