IRF8113TR

IRF8113TR - Infineon Technologies

Numero di parte
IRF8113TR
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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IRF8113TR Descrizione dettagliata

Numero di parte IRF8113TR
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2910pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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