IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF - Infineon Technologies

Numero di parte
IRF7341TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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IRF7341TRPBF Descrizione dettagliata

Numero di parte IRF7341TRPBF
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Peso -
Paese d'origine -

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