| Numero di parte | IRF7105PBF |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A, 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRF7101TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | Dettagli |
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IRF7102 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | Dettagli |
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IRF7103 | IR | IRF7103 IR SOP-8 New Original Stocks | Dettagli |
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IRF7103ITRPBF | I | IRF7103ITRPBF I SOIC8 New Original Stocks | Dettagli |
