IRF200P223 - Infineon Technologies

Numero di parte	IRF200P223
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5094pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AC
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRF200	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	Dettagli
IRF2001	IR	IRF2001 IR SMD-8 New Original Stocks	Dettagli
IRF2002	IR	IRF2002 IR SMD-8 New Original Stocks	Dettagli
IRF200B211	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB	Dettagli
IRF200P222	Infineon Technologies	MOSFET IFX OPTIMOS TO247	Dettagli
IRF200P223	Infineon Technologies	MOSFET IFX OPTIMOS TO247	Dettagli
IRF200S100RJ	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	Dettagli
IRF200S234	Infineon Technologies	TRENCH_MOSFETS	Dettagli
IRF2101S	IR	IRF2101S IR SOP8 New Original Stocks	Dettagli
IRF2103S	IR	IRF2103S IR SOP New Original Stocks	Dettagli