| Numero di parte | IPW90R120C3FKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 417W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
IPW90R120C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | Dettagli |
|
IPW90R120C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | Dettagli |
|
IPW90R1K0C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247 | Dettagli |
|
IPW90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 | Dettagli |
|
IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 | Dettagli |
|
IPW90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 | Dettagli |
|
IPW90R340C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 | Dettagli |
|
IPW90R500C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | Dettagli |
|
IPW90R500C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | Dettagli |
|
IPW90R800C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247 | Dettagli |
