| Numero di parte | IPW50R190CE |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IPW50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 | Dettagli |
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IPW50R140CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 | Dettagli |
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IPW50R190CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247 | Dettagli |
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IPW50R190CEFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247 | Dettagli |
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IPW50R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A TO-247 | Dettagli |
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IPW50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247 | Dettagli |
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IPW50R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247 | Dettagli |
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IPW50R280CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247 | Dettagli |
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IPW50R280CEFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247 | Dettagli |
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IPW50R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3 | Dettagli |
