IPP65R099C6XKSA1

IPP65R099C6XKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPP65R099C6XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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607 pcs
Prezzo di riferimento
USD 6.68/pcs
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IPP65R099C6XKSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPP65R099C6XKSA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2780pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 12.8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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