IPP60R280CFD7XKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: IPP60R280CFD7XKSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: MOSFET N-CH TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	IPP60R280CFD7XKSA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	807pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	52W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IPP60R040C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3	Dettagli
IPP60R060C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3	Dettagli
IPP60R060P7XKSA1	Infineon Technologies	HIGH POWER_NEW	Dettagli
IPP60R070CFD7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO220-3	Dettagli
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IPP60R099C6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220	Dettagli
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IPP60R099C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3	Dettagli