| Numero di parte | IPP111N15N3 G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 83A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 160µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 75V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 83A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IPP110N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 | Dettagli |
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