IPN50R950CEATMA1 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
IPN50R950CEATMA1 |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
- |
| Tecnologia |
- |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
- |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
- |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
- |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
| Vgs (massimo) |
- |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (max) |
- |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
- |
| temperatura di esercizio |
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| Tipo di montaggio |
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| Pacchetto dispositivo fornitore |
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| Pacchetto / caso |
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| Peso |
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| Paese d'origine |
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