| Numero di parte | IPL60R065C7AUMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
IPL60R060CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Dettagli |
|
IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Dettagli |
 |
IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Dettagli |
|
IPL60R075CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Dettagli |
|
IPL60R085P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Dettagli |
|
IPL60R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Dettagli |
|
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON | Dettagli |
|
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Dettagli |
|
IPL60R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Dettagli |
|
IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON | Dettagli |
