| Numero di parte | IPD70N03S4L-04 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 70A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IPD70N03S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 | Dettagli |
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IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 | Dettagli |
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IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 | Dettagli |
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IPD70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | Dettagli |
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IPD70N10S3L-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | Dettagli |
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IPD70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | Dettagli |
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IPD70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | Dettagli |
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IPD70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | Dettagli |
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IPD70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 | Dettagli |
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IPD70P04P4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 | Dettagli |
