IPC042N03L3X1SA1

IPC042N03L3X1SA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPC042N03L3X1SA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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IPC042N03L3X1SA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPC042N03L3X1SA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Sawn on foil
Pacchetto / caso Die
Peso -
Paese d'origine -

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