| Numero di parte | IPB65R110CFDATMA2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | Dettagli |
|
IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | Dettagli |
|
IPB65R065C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Dettagli |
|
IPB65R065C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Dettagli |
|
IPB65R095C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Dettagli |
|
IPB65R095C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Dettagli |
|
IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 | Dettagli |
|
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | Dettagli |
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Dettagli |
|
IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | Dettagli |
