IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPB240N03S4LR9ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH TO263-7
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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IPB240N03S4LR9ATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPB240N03S4LR9ATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20300pF @ 25V
Vgs (massimo) ±16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.92 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-7-3
Pacchetto / caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso -
Paese d'origine -

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