| Numero di parte | IPB100N04S2L03ATMA2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
IPB100N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB100N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB100N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 | Dettagli |
|
IPB100N06S205ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB100N06S205ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB100N06S2L05ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | Dettagli |
