IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPB048N15N5LFATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
DIFFERENTIATED MOSFETS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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IPB048N15N5LFATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPB048N15N5LFATMA1
Stato parte Active
Tipo FET -
Tecnologia -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Pacchetto / caso -
Peso -
Paese d'origine -

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