IPB030N08N3GATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	IPB030N08N3GATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 155µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	117nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8110pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	214W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7
Pacchetto / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	IPB030N08N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7	Dettagli
	IPB030N08N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7	Dettagli