IPB023N04NGATMA1 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
IPB023N04NGATMA1 |
| Stato parte |
Obsolete |
| Tipo FET |
N-Channel |
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
90A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 95µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
120nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
10000pF @ 20V |
| Vgs (massimo) |
±20V |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (max) |
167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
2.3 mOhm @ 90A, 10V |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
PG-TO263-2 |
| Pacchetto / caso |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER IPB023N04NGATMA1
