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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IPB015N04L G
IPB015N04L G

IPB015N04L G - Infineon Technologies

Numero di parte
IPB015N04L G
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IPB015N04L G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.0778/pcs
Il nostro prezzo
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IPB015N04L G Descrizione dettagliata

Numero di parte IPB015N04L G
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 346nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-2
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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