| Numero di parte | IPAW60R600CEXKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 444pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | Dettagli |
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IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Dettagli |
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IPAW60R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Dettagli |
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IPAW60R280P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Dettagli |
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IPAW60R280P7SXKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Dettagli |
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IPAW60R360P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Dettagli |
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IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 | Dettagli |
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IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Dettagli |
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IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Dettagli |
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IPAW60R600P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Dettagli |
