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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IPA65R150CFDXKSA1
IPA65R150CFDXKSA1

IPA65R150CFDXKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPA65R150CFDXKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IPA65R150CFDXKSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IPA65R150CFDXKSA1.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7345 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.54/pcs
Il nostro prezzo
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IPA65R150CFDXKSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPA65R150CFDXKSA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2340pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 9.3A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220 Full Pack
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Peso -
Paese d'origine -

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