| Numero di parte | IPA60R600P7XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IPA60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP | Dettagli |
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IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Dettagli |
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IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Dettagli |
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IPA60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP | Dettagli |
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IPA60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP | Dettagli |
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IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Dettagli |
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IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 | Dettagli |
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IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Dettagli |
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IPA60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3 | Dettagli |
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IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Dettagli |
