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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › IKW50N60DTPXKSA1
IKW50N60DTPXKSA1

IKW50N60DTPXKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IKW50N60DTPXKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT 600V 80A 319.2W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IKW50N60DTPXKSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IKW50N60DTPXKSA1.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
462 pcs
Prezzo di riferimento
USD 5.04/pcs
Il nostro prezzo
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IKW50N60DTPXKSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IKW50N60DTPXKSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
Potenza - Max 319.2W
Cambiare energia 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 249nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 20ns/215ns
Condizione di test 400V, 50A, 7 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 115ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
Peso -
Paese d'origine -

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