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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › IKW30N65ES5XKSA1
IKW30N65ES5XKSA1

IKW30N65ES5XKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IKW30N65ES5XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IKW30N65ES5XKSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IKW30N65ES5XKSA1.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
6562 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.98/pcs
Il nostro prezzo
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IKW30N65ES5XKSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IKW30N65ES5XKSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 62A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A
Potenza - Max 188W
Cambiare energia 560µJ (on), 320µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 70nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/124ns
Condizione di test 400V, 30A, 13 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 75ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
Peso -
Paese d'origine -

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