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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › IKD06N60RFAATMA1
IKD06N60RFAATMA1

IKD06N60RFAATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IKD06N60RFAATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IKD06N60RFAATMA1 Navigazione online PDF
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IKD06N60RFAATMA1.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
36308 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.7123/pcs
Il nostro prezzo
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IKD06N60RFAATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IKD06N60RFAATMA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 12A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 6A
Potenza - Max 100W
Cambiare energia 90µJ (on), 90µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 48nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 8ns/105ns
Condizione di test 400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 48ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Peso -
Paese d'origine -

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