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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › IHW30N100R
IHW30N100R

IHW30N100R - Infineon Technologies

Numero di parte
IHW30N100R
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IHW30N100R Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IHW30N100R.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3569 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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IHW30N100R Descrizione dettagliata

Numero di parte IHW30N100R
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A
Potenza - Max 412W
Cambiare energia 2.1mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 209nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C -/846ns
Condizione di test 600V, 30A, 26 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
Peso -
Paese d'origine -

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