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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › IFS100V12PT4BOSA1
IFS100V12PT4BOSA1

IFS100V12PT4BOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IFS100V12PT4BOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MODULE IPM MIPAQ-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IFS100V12PT4BOSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
450 pcs
Prezzo di riferimento
USD 365.66833/pcs
Il nostro prezzo
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IFS100V12PT4BOSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IFS100V12PT4BOSA1
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100A
Potenza - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) -
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce -
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 65°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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